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Qorvo 認為，射頻前端模塊的持續整合加上自屏蔽模塊的應用將是未來射頻前端的重要發展趨勢。 7 月 29 日，Qorvo 公布了截至 2020 年 6 月 27 日的 2021 財年第一財季（對應自然年為 2020 年 2 季度）業績。財報顯示，2021 財年第一季度營收為 7.87 億美元，同比上升 1.53%，Qorvo 首席財務官表示，5G 的推出和公司的運營業績促使季度業績遠超預期。財報會上，Qorvo 表示在移動產品方面正受益于更高的前端集成度和復雜性所推動的更多射頻需求，包括轉向更高的頻率、增加新的頻段組合以及采用雙發射架構以支持 5G。 5G 使得通信行業迎來重大變革，通信頻段數量從 4G 時代開始就處于快速增長的狀態，其中射頻前端作為手機通信功能的核心組件，將直接受益。在手機領域，雖然今年預計手機銷量將下滑 10%，但 Qorvo 認為，5G 手......閱讀全文
毫米波未來的五年時間估計也不會被普及，因為穿透有限需要大規模部署，成本太高。運營商在主流城市地區利潤增長和投入不成正比積極性不大。本文的關注點只聚焦在三年內會商用的5G射頻前端與5G測試。關注一：5G要實現的三大場景下圖是國際電信聯盟委員會，3GPP都達成共識的一張圖，可能EDN電子技術設計
在過去幾年中，通信廠商和硬件制造商都在積極布局5G產品，例如針對毫米波、MIMO、載波聚合等一系列軟硬件應用的開發。 當前最新的5G硬件都是在配合相關標準，例如3GPPR16。雖然5G的規范和更新還在進行中，但是可以通過軟件更新的方式來滿足要求。 目
在很多分析師和廠商看來，5G這個高速、低延遲和廣泛覆蓋網絡到來，除了在應用方面帶來了變革的機會，給上游供應商也帶來了不小的挑戰，尤其是射頻前端方面。 本文為大家帶來Qorvo從領先射頻前端解決方案供應商的角度談談5G時代射頻前端的機遇與挑戰。 5G手機的射頻技術主要存在著四大挑戰
5G 具有更大的帶寬 4G 走向 5G 時另一個重大的變化是手機必須支持更大的帶寬，提高帶寬是實現以全新 5G 頻段為目標的更高數據速率的關鍵。LTE 頻段不高于 3GHz，單載波帶寬僅為 20MHz，到了 5G 時代，FR1 的信道 / 單載波帶寬高達 100MHz，FR2 的單
原理： a. 供電：900M/1800M 兩個高放管的基極偏壓共用一路，由中頻同時路提供;而兩管的集電極的偏壓由中頻 CPU 根據手機的接收狀態命令中頻分兩路送出;其目的完成 900M/1800M 接收信號切換。 b. 經過濾波器濾除其他雜波得到純正
3)濾波器： 結構：手機中有高頻濾波器、中頻濾波器。 作用：濾除其他無用信號，得到純正接收信號。后期新型手機都為零中頻手機;因此，手機中再沒有中頻濾波器。 4)高放管(高頻放大管、低噪聲放大器)： 結構：手
傳統來說，一部可支持打電話、發短信、網絡服務、APP 應用的手機，一般包含五個部分部分：射頻部分、基帶部分、電源管理、外設、軟件。 射頻部分：一般是信息發送和接收的部分； 基帶部分：一般是信息處理的部分； 電源管理：
分析測試百科網訊 2018年11月7日，牛津儀器在西安天驪君廷酒店召開等離子體技術在刻蝕與沉積工藝中的應用研討會，來自牛津儀器等離子技術部亞洲區銷售和服務副總裁Ian Wright先生為大家詳細介紹了牛津儀器等離子技術部的發展情況及產品介紹。研討會還邀請到西安電子科技大學楊凌教授、中國電子科技集
但需要注意的是，單元法分析對陣列作了如下假設： 陣列無限大； 每個單元的方向圖都完全相同； 陣列所有單元等幅激勵，相位等差變化 所以單元法無法考慮陣列的邊緣效應，也不能單獨設置每個單元的激勵，并且無法定義復雜形狀的陣列。 全陣精確仿真
隨著 5G 毫米波預期即將進入商用，行業內關鍵公司的研發正在順利推進，已經完成定制組件指標劃定、設計和驗證。實現未來毫米波 5G 系統所需的基本組件是射頻前端模塊(FEM)。該模塊包括發射機的最終放大級以及接收機中最前端的放大級以及發射 / 接收開關(Tx/Rx)以支持時分雙工(T
在“新一代寬帶無線移動通信網”國家科技重大專項的支持下，上海銳迪科微電子公司在LTE-A 射頻功率放大器領域取得重要進展。近期，該公司推出一款用于3.5GHz 頻段的 LTE-A 射頻功率放大器RPM6442，達到了世界一流的功耗和線性度指標，支持2個20MHz 帶寬的載波聚合和64QAM 等復
眼下，對于集成電路產業來說，自進入四季度以來，無論是供給方，還是需求方，但感覺到特別“寒冷”。用相關業內人士的話來說，“目前，高水位庫存致使盈利能力下滑，指數估值處于歷史低位。這是由于中美貿易戰下半導體行業遭受到“兩重”壓力，關鍵需求下降。” 那么，令人擔憂的問題來了，集成電路產業是否會“寒冬
盡管 5G 通信系統需要線性放大來保持調制保真度，但為了提供一個便于比較的性能指標，還是有必要測量輸出 P1dB 和 PAE。測量所得性能如圖 8 所示，可見 P1dB 在 20.2dBm 左右，并在飽和時上升到 21dBm。FEM 的發射通道 PAE 約為 20%，僅在該頻帶的高
5G 基站越建越多，“5G 基站輻射大”的言論甚囂塵上。5G 基站對我們的身體會有怎樣的影響？我們又該如何面對建在家門口的 5G 基站？平時，我們走在路上經常能看見高高聳立的通信基站。基站為我們傳輸數據、傳遞消息，將千里之外的關心與愛護送到我們身邊。然而，談到基站很多人第一反應是輻射。不知從
2019年6月6日，工信部向中國電信、中國移動、中國聯通、中國廣電四家企業發放5G商用牌照。中國正式進入5G商用元年。未來數據傳輸速率的提高有助于形成交互式生態系統，從而實現更智能、更高效、更互連的世界。據IHS預計， 2025年將有超過750億臺物聯網（IoT）設備接入網絡，其中大
在智能手機電子設計領域，5G RF前端（RFFE）復雜功能的出現對系統設計提出了一系列新挑戰。在智能手機的有限空間內，對多個5G頻率、TDD和FDD的需求，甚至多個毫米波天線模塊的需求，都促使業界尋求解決方案，以解決這種復雜性問題。 5G設計中應用的主要技術不僅專注在最基
進一步評估了史密斯圓圖上的其他阻抗點下，功放的 P1dB 和功率回退兩種條件下的性能。圖 2a 中的負載條件明顯具有最好的綜合性能，因此被選定用于輸出級設計。最終選擇了 52mA/mm 的偏置電流，并選擇了 8x50μm 器件作為輸出級的基本單元，以滿足功率指標要求。并根據總的傳輸增益
近日，由中國科學院沈陽自動化研究所團隊與以色列魏茨曼科學院 (Weizmann Institute of Science) 研究團隊，聯合提出了針對多輸入多輸出 (Multiple-Input Multiple-Output, MIMO) 無線通信系統的射頻鏈路壓縮理論與算法，并搭建了相應的硬件
4G還未完全占領市場，各路人馬早已對5G摩拳擦掌。 5G，即第五代移動通信技術。曾有多位專家對《中國科學報》記者表示，中國有可能在5G技術標準的制定上發揮主導作用。但近日，英國工程技術學會（IET）新任主席威廉·韋伯在他的首次訪華之旅中，在多場報告中呼吁：未來不需要5G，尤其是從手機的未來看，
日前，由 EETOP 聯合 KEYSIGHT 共同舉辦的“2020 中國半導體芯動力高峰論壇”隆重舉行。Qorvo 無線基礎設施部門高級應用工程師周鵬飛也受邀參與了這次盛會，并發表了題為《實現 5G 的關鍵技術—— GaN》的演講。 首先，周鵬飛給我們介紹了無線基礎設施的發展。他表示
分析測試百科網訊 近日，北京市科委對外公布2020年度市科委第二季度項目(課題)立項項目公開清單和2020年度市科委第二季度項目(課題)驗收公開清單。據統計，此次發布的立項清單共42項、1.56億元，驗收清單共145項。具體詳情如下： 2020年度市科委第二季度項目
近日，清華大學材料學院研發成功基于多孔銅微通道材料的CPU散熱器。CPU散熱器全球需求1.6-2億臺套/年，年產值800-1000億人民幣，相關散熱產品具有重要的應用前景。該研究攻克了大尺寸（直徑100-200mm，高200-250mm）大長徑比（大于100）藕狀多孔銅的批量化短流程關鍵制備工藝及穩
高頻率的挑戰從自由空間傳播損耗（FSPL）公式可見，頻率增加路徑損耗隨著增加。波長（λ）和頻率（f）通過光速（c）關聯，即：λf= c，并且隨著頻率的增加，波長會縮短。這產生兩個主要影響。首先，隨著波長的縮短，兩個天線單元之間所需的間隔（通常為λ/2）減小，這使得實際天線陣列具有多重天線單元
半導體原料共經歷了三個發展階段：第一階段是以硅 （Si）、鍺 （Ge） 為代表的第一代半導體原料；第二階段是以砷化鎵 （GaAs）、磷化銦 （InP） 等化合物為代表；第三階段是以氮化鎵 （GaN）、碳化硅 （SiC）、硒化鋅 （ZnSe） 等寬帶半導體原料為主。第三代半導體原料具有
2015年度國家自然科學基金委員會與瑞典科研與教育國際合作基金會合作交流項目初審結果的通知 根據國家自然科學基金委員會（NSFC）與瑞典科研與教育國際合作基金會(STINT)的雙邊合作協議，雙方在2015年共同資助中國與瑞典科研人員之間在科學研究的基礎上開展的合作交流項目。2015年7月，我
毫米波依靠超高的 mmWave 頻率的速度和容量為 5G 應用提供超強動力。 毫米波 5G，也被稱為 mmWave——是下一代移動應用基礎。我們將解釋它是什么，以及在需要高容量、低延遲網絡的地區，它將如何影響 5G 網絡。 下一代 5G 網絡不僅將在
毫米波依靠超高的 mmWave 頻率的速度和容量為 5G 應用提供超強動力。 毫米波 5G，也被稱為 mmWave——是下一代移動應用基礎。我們將解釋它是什么，以及在需要高容量、低延遲網絡的地區，它將如何影響 5G 網絡。 下一代 5G 網絡不僅將在
面對5G無線通信技術的巨大風口，科技國家隊終于出手了。記者今天從中國科學院獲悉，今年該院將斥資3000萬元，用18個月的時間，部署面向新一代移動通信的5G芯片產業化項目，以建成具有自主知識產權的5G芯片和網絡關鍵技術創新鏈。 當天，中科院對外發布2017年促進經濟社會發展重大項目部署情況，包括
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2017年11月1日，值第十四屆中國國際半導體照明論壇暨 2017 國際第三代半導體論壇開幕大會召開之際，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、國家半導體照明工程研發及產業聯盟主辦的第六屆中國創新創業大賽之第二屆國際第三代半導體創新創業大賽（以下簡稱“大賽”）頒獎儀式在北京隆重舉行。北京