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在基體和薄膜原子相互作用特別強的情況下，才容易出現層核生長型。首先在基片表面生長1-2層單原子層，這種二維結構強烈地受基片晶格的影響，晶格常數有較大的畸變。然后再在這原子層上吸附入射原子，并以核生長方式生成小島，最終形成薄膜。......閱讀全文
在基體和薄膜原子相互作用特別強的情況下，才容易出現層核生長型。首先在基片表面生長1-2層單原子層，這種二維結構強烈地受基片晶格的影響，晶格常數有較大的畸變。然后再在這原子層上吸附入射原子，并以核生長方式生成小島，最終形成薄膜。
這種生長類型的特點是，蒸發原子首先在基片表面以單原子層的形式均勻地翟蓋一層，然后再在三維方向上生長更多的層。這種生長方式多數發生在基片原子與蒸發原子間的結合能接近于蒸發原子間的結合能的情況下。層生長型的過程大致如下:入射到基片表面的原子，經過表面擴散并與其它原子碰撞后形成二維的核，二維核捕捉周圍
這種類型形成過程的特點是，到達基片上的原子首先凝聚成核，后續飛來的原子不斷集聚在核的附近使核在三維方向不斷成長，最終形成薄膜。大部分薄膜的形成過程都屬于這種類型。核生長型的薄膜其生長過程可以分為如下四個階段。 (l)成核階段碰撞到基片上的原子，其中一部分與基片原子交換的能量很少，仍具有相當大的
磁致濺射儀是應用于各種金屬薄膜的濺射蒸鍍儀器，在惰性氣體或者活性氣體中在陽極和陰極蒸發材料間加上幾百伏的直流電壓，使之產生輝光放電，放電中的離子碰撞到陰極的蒸發材料靶上，靶材的原子就會由其表面蒸發出來，蒸發原子被惰性氣體冷卻而凝結或與活性氣體反應而形成納米顆粒。
濺射法的原理是在惰性氣體或者活性氣體中在陽極和陰極蒸發材料間加上幾百伏的直流電壓，使之產生輝光放電，放電中的離子碰撞到陰極的蒸發材料靶上，靶材的原子就會由其表面蒸發出來，蒸發原子被惰性氣體冷卻而凝結或與活性氣體反應而形成納米顆粒。濺射是一個復雜的過程。濺射過程是建立在氣體輝光放電基礎上的。當兩電
不僅可以得到很高的濺射速率，而且在濺射金屬時還可以避免二次電子轟擊而使基板保持接近冷態，這對單晶和塑料基板具有重要的意義。磁控濺射可以用DC和RF放電工作，故能制備金屬膜和介質膜。但是它的缺點是：不能實現強磁性材料的低溫高速濺射，因為幾乎所有的磁通都通過磁性靶子，所以在靶面附近不能外加強磁場；絕
真空系統：真空系統由機械泵、分子泵和各種閥門組成。低真空下，由熱偶型規管來測定真空度高真空下由電離型規管來測量。系統的最高真空度可以達到數量級。 輸氣系統：濺射中需要通入高純氫氣作為濺射氣體。有時需要通入、等進行反應濺射。系統現有兩路質量流量計，所用的氣體可以選擇合適的流量進入真空室。 加熱
在俄歇電子能譜儀超高真空室內,采用離子束濺射沉積方法在多晶Cu上沉積了鈾薄膜,采用俄歇電子能譜技術(AES)研究鈾薄膜的生長方式,鈾、銅的相互作用及退火引起U膜成分結構變化。沉積初期觀察到鈾與銅發生相互作用,隨著鈾薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇躍遷峰強度值變化說明鈾薄膜為層狀+島狀生長。退
哺乳動物組織/組織培養細胞 爪蟾卵母細胞 果蠅胚 SPISULA 實驗材料
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