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  • 稀磁性半導體的研究進展

    從根本上說主要是由于自旋電子之間的交換作用使得磁性半導體具有磁性。經常用于解釋磁性半導體的磁性起源的交換作用模型有描述絕緣體中磁性的直接交換作用和超交換作用、載流子媒介交換作用和描述部分氧化物中摻雜磁性的束縛磁極化子模型。傳統鐵磁金屬之間的鐵磁耦合用直接交換作用機制來描述,而金屬氧化物、硫化物、氟族化合物以及鐵氧體中的反鐵磁性或亞鐵磁性則用超交換作用機制來描述。超交換作用又可以稱作間接交換作用,其特點就是磁性原子間的相互作用是通過中間的陰離子間接完成的。超交換作用的哈密頓量可以通過海森堡模型來描述,此時的交換積分符號取決于金屬氧化物的鍵角和過渡金屬的d 電子組態。通常來說,如果磁性金屬離子3d 軌道態的電子數達到或超過半滿,那么由它構成的離子性化合物呈反鐵磁性;如果磁性金屬離子3d 軌道態的電子數不到半滿,那么由它構成的離子性化合物呈鐵磁性;但是否具有鐵磁性還需考慮金屬氧化物的鍵角和過渡金屬的d 電子的組態。研究磁性半導體類材料......閱讀全文

    稀磁性半導體的研究進展

    從根本上說主要是由于自旋電子之間的交換作用使得磁性半導體具有磁性。經常用于解釋磁性半導體的磁性起源的交換作用模型有描述絕緣體中磁性的直接交換作用和超交換作用、載流子媒介交換作用和描述部分氧化物中摻雜磁性的束縛磁極化子模型。傳統鐵磁金屬之間的鐵磁耦合用直接交換作用機制來描述,而金屬氧化物、硫化物、氟族

    稀磁性半導體的應用

    稀磁性半導體是指非磁性半導體中的部分原子被過渡金屬元素取代后形成的磁性半導體,因兼具有半導體和磁性的性質,即在一種材料中同時應用電子電荷和自旋兩種自由度,因而引起廣泛關注,尚處于研究階段。

    稀磁性半導體的制備方法

    分子束外延法分子束外延(MBE)技術由于其在原子尺度上精 確控制外延膜厚、摻雜和界面平整度的特點,明顯優 于液相外延法和氣相外延生長法,更有利于生長高質 量DMS薄膜。采用低溫分子束外延(LT-MBE)技術, 能夠有效的抑制新相的析出,同時輔助以高能電子衍 射儀(RHEED),監控生長過程中的表面再

    稀磁性半導體的發展前景

    稀磁半導體兼具半導體和磁性材料的性質,使同時利用半導體中的電子電荷與電子自旋成為可能,為開辟半導體技術新領域以及制備新型電子器件提供了條件。盡管對于DMS材料應用的研究尚處于實驗探索階段,但已展示出其廣闊的應用前景。如將 DMS材料用作磁性金屬與半導體的界面層,實現自旋極化的載流子向非磁性半導體中的

    稀磁半導體的基本特性

    稀磁半導體(Diluted magnetic semiconductors,DMS)是指非磁性半導體中的部分原子被過渡金屬元素(transition metals,TM)取代后形成的磁性半導體。因為一般摻入的雜質濃度不高,磁性比較弱,因而叫做稀磁半導體,或者半磁半導體。因兼具有半導體和磁性的性質,即

    磁性半導體的分類

    磁性半導體研究熱點為主要為兩類半導體:稀磁半導體、鐵磁半導體。

    磁性半導體的定義

    磁性半導體(英語:Magnetic semiconductor)是一種同時體現鐵磁性(或者類似的效應)和半導體特性的半導體材料。

    磁性半導體的發展歷史

    第一代磁性半導體關于磁性半導體的研究可以追溯到20世紀60年代。我們首先來簡單回顧一下關于濃縮磁性半導體(Concentrated Magnetic Semiconductor)的研究進展。所謂濃縮磁性半導體即在每個晶胞相應的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半導體,例如Eu或Cr的硫族化合物:巖鹽

    磁性半導體的應用特點

    磁性半導體(英語:Magnetic semiconductor)是一種同時體現鐵磁性(或者類似的效應)和半導體特性的半導體材料。如果在設備里使用磁性半導體,它們將提供一種新型的導電方式。傳統的電子元件都是以控制電荷自由度(從而有n型和p型半導體)為基礎工作,磁性半導體能控制電子的自旋自由度(于是有了

    稀磁半導體的磁學機理和物理特性

    磁性離子摻入到半導體中替代部分陽離子的位 置形成稀磁半導體,通過局域自旋磁矩和載流子之間 存在強烈的自旋-自旋交換作用,在外加電場或者磁 場的影響下,會使載流子的行為發生改變,從而產生 異于半導體基質的特性。自旋-自旋交換相互作用是 DMS 材料區別于非磁半導體材料的關鍵,也是形成 各種磁極化子的主

    雙極磁性半導體的概念和特征

    雙極磁性半導體(英文Bipolar Magnetic Semiconductors,縮寫BMS) 是一類特殊的磁性半導體材料,它具有獨特的電子能帶結構:價帶頂和導帶底是100% 自旋極化的,且它們的自旋極化方向是相反的。?雙極磁性半導體具有三個特征能隙:價帶內的自旋翻轉能隙Δ1,半導體帶隙Δ2和導帶

    半導體所等關于磁性半導體(Ga,Mn)As的研究獲得進展

      最近,《納米快報》雜志報道了中科院半導體研究所超晶格室趙建華研究員和博士生陳林將磁性半導體(Ga,Mn)As居里溫度提高到200K的研究成果,此項工作是與楊富華研究組以及美國佛羅里達州立大學Stephan von Molnár教授和熊鵬教授研究組合作完成的。   (Ga,Mn)A

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      近年來,二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結構、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領域中,磁性二維材料具有更豐富的物理圖像,并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用,越來越受到人們的關注。摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段,如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子,則這些材

    雙極磁性半導體的性質和潛在應用

    自旋一般只能通過磁場來調控,這使自旋器件微型化和集成化難以實現,而用電場調控則可解決此矛盾。因此,如何實現利用電場調控電子的自旋,是自旋電子學面臨的關鍵科學問題之一。雙極磁性半導體就是為解決此問題而提出的。此類材料的獨特之處在于其價帶頂與導帶底具有相反的自旋極化方向,因而可通過調節費米能級的位置(例

    半導體所等在磁性半導體(Ga,Mn)As研究中取得進展

      中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室趙建華團隊及合作者美國佛羅里達州立大學教授熊鵬等在有機自組裝分子單層對磁性半導體(Ga,Mn)As薄膜磁性調控研究方面取得新進展,相關成果發表在Advanced Materials(2015,27,8043–8050,DOI: 10.1002/ad

    半導體所在反轉能帶半導體表面磁性全電控制方面取得進展

      在國家基金委和中科院創新工程的支持下,半導體研究所常凱研究員和博士生朱家驥與美國斯坦福大學物理系張首晟教授合作,從理論上研究了BiSe等材料表面磁性全電控制的可能性。   通過控制載流子濃度以控制材料磁性是半導體自旋電子學領域的一個重要研究方向。這種控制方案已經在稀磁半導體GaM

    摻鈷氧化鋅稀磁半導體的SEM及X射線能譜微分析

    采用水熱法,以CoCl2.6H2O為前驅物,KOH作為礦化劑合成了摻鈷氧化鋅稀磁半導體晶體。利用掃描電子顯微鏡(SEM)及X射線能譜儀(XREDS)對合成晶體的微觀形貌、表面及內部摻雜元素Co的相對含量和分布的均勻性進行了研究。研究結果表明:水熱法合成的摻Co氧化鋅晶體具有多種微觀形貌,較大的晶體具

    稀氨溶液的處方

    濃氨溶液420ml水適量制成000ml

    中國科大二維磁性半導體材料研究獲進展

      中國科學技術大學國家同步輻射實驗室副研究員閆文盛、孫治湖和劉慶華組成的研究小組在教授韋世強的帶領下,利用同步輻射軟X射線吸收譜學技術,在研究二維超薄MoS2半導體磁性材料的結構、形貌和性能調控中取得重要進展。該研究成果發表在《美國化學會志》上。   二維超薄半導體納米片具有宏觀上的超薄性、透明性

    稀糊狀、稀汁樣便和柏油樣黑便分析

    稀糊狀或稀汁樣便:? ?常因腸蠕動亢進或分泌物增多所致見于各種感染或非感染性腹瀉,尤其是急性胃腸炎。小兒腸炎時腸蠕動加速,糞便很快通過腸道,以致膽綠素來不及轉變為糞便膽素而呈綠色稀糊樣便。遇大量黃綠色的稀汁樣便并含有膜狀物時應考慮到偽膜性腸炎;艾滋病伴有發腸道隱孢子蟲感染時也可排也大量稀汁樣便。副溶

    物理所寬禁帶半導體磁性起源研究取得新進展

      中科院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室(籌)陳小龍研究員及其領導的功能晶體研究與應用中心一直致力于寬禁帶半導體磁性起源問題的研究。最近,他們從實驗和理論上證明了雙空位導致磁性,首次在實驗上給出了直接證據,為通過缺陷工程調控寬禁帶半導體的磁性提供了實驗基礎,相應結果發表在Phy

    稀氨溶液的檢查方法

    應符合涂劑項下有關的各項規定(通則0118)。

    稀氨溶液的含量測定方法

    精密量取本品5ml,置貯有水25m1的具塞錐形瓶中,加甲基紅指示液2滴,用硫酸滴定液(0.5mol/L)滴定。每1ml硫酸滴定液(0.5mol/L)相當于17.03mg的NH3。

    稀氨溶液的鑒別檢查方法

    鑒別取本品少量,另用玻璃棒蘸取鹽酸,接近本品的液面,即發生白色的濃煙。檢查應符合涂劑項下有關的各項規定(通則0118)。

    稀氨溶液的基本性狀

    本品為無色的澄清液體;有刺激性特臭;顯堿性反應相對密度本品的相對密度(通則0601)為0.955~0.962。

    稀氨溶液的鑒別方法

    取本品少量,另用玻璃棒蘸取鹽酸,接近本品的液面,即發生白色的濃煙。

    常用鐵磁半導體介紹

    以下是幾種鐵磁半導體:摻錳的砷化銦和砷化鎵(GaMnAs),居里溫度在分別在50-100k和100-200k。摻錳的銻化銦,不過在常溫下具有鐵磁性和錳濃度不到1%。氧化物類半導體:1.摻錳的氧化銦,常溫下具有鐵磁性。2.氧化鋅。3.摻錳的氧化鋅。4.摻n型鈷的氧化鋅。二氧化鈦:摻鈷的二氧化鈦,常溫下

    磁性非磁性涂層測厚儀功能

    磁性非磁性涂層測厚儀功能:?  1、測量:儀器配有兩種測量探頭。Fe探頭測量鐵磁性材料上的非磁性涂層的厚度,NF探頭測量導電金屬上的非導電涂層的厚度。?  2、數據管理:通過分組的方式來管理存儲的數據。一共分6組,每組包含99個數據。可以對任意一組數據進行查看、刪除、打印以及通信操作。?  3、測量

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    真空低溫電學測試探針臺的功能簡介

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