硅納米晶體管展現出強量子限制效應
據美國物理學家組織網3月21日報道，美國得克薩斯大學的一個研究小組用非常細的納米線制造出一種晶體管，表現出明顯的量子限制效應，納米線的直徑越小，電流越強。該技術有望在生物感測、集成電路縮微制造方面發揮重要作用。相關研究發表在最近出版的《納米快報》上。 實驗中，他們用平版印刷技術制造了一種直徑僅有3納米到5納米的硅納米線。由于直徑非常小，表現出明顯的量子限制效應，納米線的塊值（bulk values）性質發生了變化。尤其是用極細納米線制造的晶體管，在空穴遷移率、驅動電流和電流強度等方面屬性明顯增強，大大提高了晶體管的工作效率，其性能甚至超過最近報道的用半導體摻雜技術改良的硅納米線晶體管。 得克薩斯大學研究人員沃爾特·胡介紹說，我們已經證明，載荷子遷移率會隨著硅隧道的量子限制程度增加而不斷提高，這在理論上為3納米直徑納米線的受激高速空穴流動提供了實驗證據。 這好像是違反直覺的，一根更細的納米......閱讀全文
硅納米晶體管展現出強量子限制效應
據美國物理學家組織網3月21日報道，美國得克薩斯大學的一個研究小組用非常細的納米線制造出一種晶體管，表現出明顯的量子限制效應，納米線的直徑越小，電流越強。該技術有望在生物感測、集成電路縮微制造方面發揮重要作用。相關研究發表在最近出版的《納米快報》上。 實驗中，他們用平版
納米線晶體管能自我修復
據美國電氣與電子工程師協會《光譜》雜志網站11日報道，美國國家航空航天局（NASA）與韓國科學技術研究院（KAIST）合作，研制出了一款能自我修復的晶體管。研究人員表示，最新自我修復技術有助于研制單芯片飛船，其能以五分之一光速飛行，在20年內抵達距太陽系最近的恒星“比鄰星”。 今年4月12日
硅納米線的主要成分
Si納米線當然成分就是Si了，要是SiO2不就是SiO2納米線了？不過Si確實不穩定，極易氧化，表面一定會有SiO2層的。
碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管
據美國威斯康星大學麥迪遜分校官網近日報道，該校材料學家成功研制的1英寸大小碳納米晶體管，首次在性能上超越硅晶體管和砷化鎵晶體管。這一突破是碳納米管發展的重大里程碑，將引領碳納米管在邏輯電路、高速無線通訊和其他半導體電子器件等技術領域大展宏圖。 碳納米管管壁只有一個原子厚，是最好的導電材料之一，
硅納米線將繪電子器件新版圖
雖然我國目前已經初步實現了硅納米晶體管、傳感器等納米器件的部分功能，但是離納米器件的大規模集成還有相當大的距離。 美國斯坦福大學研究人員已經研發出用硅納米線制成的“紙電池”。 當全世界的科學家一窩蜂地關注碳納米管時，殊不知，另一種一維納米材料硅納米線同樣能給人帶來意想不到的驚喜。
4.16電子伏特！新型硅帶隙創世界紀錄
美國東北大學科學家主導的國際科研團隊發現了一種新形式的高密度硅，并開發出一種新型可擴展的無催化劑蝕刻技術，能將這種硅制成直徑為2—5納米的超窄硅納米線。這一成果發表于最新一期《自然·通訊》雜志，有望給半導體行業帶來革命性變化，還有望應用于量子計算等領域。 十年前，東北大學研究人員在實驗中發現了
我國學者在這一品種有機材料方面獲進展
有機發光場效應晶體管器件（organic light-emitting transistor, OLET）是在同一器件中集成了有機場效應晶體管和有機發光二極管兩種器件功能的新型有機光電子集成器件，兼具場效應晶體管的開關與信號放大功能和二極管的發光顯示功能，是實現下一代變革性柔性顯示技術、有機電泵
微電子所在新型硅基環柵納米線MOS器件研究中取得進展
近日，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心在面向5納米以下技術代的新型硅基環柵納米線（Gate-all-around silicon nanowire，GAA SiNW）MOS器件的結構和制造方法研究中取得新進展。 5納米以下集成電路技術中現有的FinFET器件結構面臨諸多挑戰。環柵
IIIV族納米線材料為新一代芯片賦予光學特性
IBM蘇黎世研究實驗室(IBM Research of Zurich)開發出一種尺寸極其微小的納米線，具有一般標準材料所沒有的光學特性，從而為開發出基于半導體納米線的“新一代晶體管”電路研究而鋪路。 該研究實驗室與挪威科技大學(Norwegian University of Science
百余根硅納米線陣列監測循環腫瘤DNA
??近日，杭州電子科技大學副教授李杜娟通過引入高效能晶體管生物傳感器，在癌癥早期診斷以及術后監控上取得新進展。相關研究成果發表于《生物傳感器和生物電子》Biosensors and Bioelectronics。 生物傳感器是一類用于檢測特定分析物的分析設備，通常由生物識別元件、換能器和電子檢測
復合半導體納米線成功整合在硅晶圓上
據美國物理學家組織網11月9日報道，美國科學家開發出一種新技術，首次成功地將復合半導體納米線整合在硅晶圓上，攻克了用這種半導體制造太陽能電池會遇到的晶格錯位這一關鍵挑戰。他們表示，這些細小的納米線有望帶來優質高效且廉價的太陽能電池和其他電子設備。相關研究發表在《納米快報》雜志上。 III—
硅與非硅材料“混搭”難題解決
美國加州大學戴維斯分校的科學家最近展示了一種具有三維結構的納米線晶體管，并借助該技術成功將硅與非硅材料集成到了一個集成電路中。研究人員稱，該技術有望幫助硅材料突破瓶頸，為更快、更穩定的電子和光子設備的制造鋪平道路。 硅是目前最常見的一種電子材料，但它并不是萬能的。建立在傳統蝕刻工藝基礎的硅集成
硅與非硅材料“混搭”難題解決
美國加州大學戴維斯分校的科學家最近展示了一種具有三維結構的納米線晶體管，并借助該技術成功將硅與非硅材料集成到了一個集成電路中。研究人員稱，該技術有望幫助硅材料突破瓶頸，為更快、更穩定的電子和光子設備的制造鋪平道路。 硅是目前最常見的一種電子材料，但它并不是萬能的。建立在傳統蝕刻工藝基礎的硅集成
功能協同的納米銀/硅納米線復合材料具有長效抑菌性能
中國科學院上海應用物理研究所物理生物學實驗室和香港城市大學的研究人員近期在材料領域著名雜志《先進材料》 (Advanced Materials, 2010, 22, 48: 5463-5467）報道了一種納米銀/硅納米線復合材料在長效持久抑菌方面的工作。《自然》雜志在“研究熱點”(
硅基量子芯片自旋軌道耦合強度實現高效調控
中國科學技術大學郭光燦院士團隊郭國平教授、李海歐教授等人與中科院物理所張建軍研究員、紐約州立大學布法羅分校胡學東教授以及本源量子計算有限公司合作，在硅基鍺空穴量子點中實現了自旋軌道耦合強度的高效調控，為該體系實現自旋軌道開關以及提升自旋量子比特的品質提供了重要的指導意義。研究成果日前在線發表于《
寧波材料所在無結薄膜晶體管領域取得重要進展
最近，國外科研人員報道了一種新型的無結納米線晶體管(Nature Nanotechnology. 5, 225 (2010)）。這種晶體管源極和漏極與溝道區之間沒有結的存在。相比傳統的結型晶體管，無結晶體管的源極、漏極與溝道共用一根重摻雜的硅納米線，從而大大簡化了傳統器件的制備工
高質量InAs(Sb)/GaSb核殼異質結納米線陣列外延生長獲進展
一維半導體納米線憑借其優越、獨特的電學、光學、力學等特性，在材料、信息與通訊、能源、生物與醫學等重要領域展現出廣闊的應用前景。尤其是，基于半導體納米線的晶體管具有尺寸小、理論截止頻率高等優點，為未來在微處理器芯片上實現超大規模集成電路開拓了新的方向。在III-V族半導體材料中，InAs具有小的電
拓撲量子計算的各種平臺及最新進展
2021年9月22日，拓撲量子計算進展研討會在北京舉行。這次研討會由中國科學院大學卡弗里理論科學研究所組織，由卡弗里所與中國科學院物理研究所共同舉辦。拓撲量子計算是利用拓撲材料中具有非阿貝爾統計的準粒子構筑量子比特、執行量子計算的研究方案。由于材料的拓撲穩定性，拓撲量子計算有望解決量子比特退相干
可在p型與n型間轉換的新式晶體管問世
據美國物理學家組織網12月21日（北京時間）報道，德國科學家研制出一種新式的通用晶體管，其既可當p型晶體管又可當n型晶體管使用，最新晶體管有望讓電子設備更緊湊；科學家們也可用其設計出新式電路。相關研究發表在最新一期的《納米快報》雜志上。 目前，大部分電子設備都包含兩類不同的場效應晶體管：
有了這個方法，硅納米線鋰電負極材料將不再是困難
近日，中國科學院過程工程研究所在熱等離子體制備硅納米線負極材料上取得新進展，實現每小時公斤級量產，且制備的電池容量和壽命都達到較高標準，與碳材料復合后循環1000次的容量仍有2000mAh/g，為硅碳負極材料的產業化進展提供了新思路。相關研究結果發表在ACS Nano上。 目前傳統的石墨負極材
美首次制造出不使用半導體的晶體管
據美國每日科學網站6月21日報道，美國科學家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點，實現量子隧穿效應，制造出了沒有半導體的晶體管。該成果有望開啟新的電子設備時代。 幾十年來，電子設備變得越來越小，科學家們現已能將數百萬個半導體集成在單個硅芯片上。該研究的領導者、密歇根理工大學的物理學家
美研制出新型“4維”晶體管
據物理學家組織網12月6日(北京時間)報道，美國普渡大學和哈佛大學的研究人員推出了一項極為應景的新發明：一種外形如同一顆圣誕樹一樣的新型晶體管，其重要組件“門”(柵極)的長度縮減到了突破性的20納米。這個被稱為“4維”晶體管的新事物預告了引領半導體工業和未來計算機領域發展的潮流。該研究成果將于1
近物所等InSb半導體納米線電學輸運性質研究取得新進展
中科院近代物理研究所材料研究中心與德國Juelich研究中心及美國南加州大學合作開展InSb半導體納米線電學輸運性質研究并取得新進展。 近物所材料研究中心科研人員多年來致力于金屬和半導體納米線的制備與性質研究，在納米線光學性質研究、納米線晶體結構調控、特殊結構與功能的納米材料制
美實驗室研發全球最小晶體管“突破物理極限”
現代生活已經離不開電子芯片，而芯片上的晶體管體積越小，處理器的性能提升得越多。美國勞倫斯伯克利國家實驗室教授阿里·加維領導的一個研究小組近日利用新型材料研制出全球最小晶體管，其晶體管制程僅有1納米，被媒體驚嘆為“突破物理極限”。 據印度NDTV新聞網8日報道，按照傳統的芯片制造工藝，7納米堪稱
半導體所等實現晶圓級高質量InAs納米結構的維度調控
最近，國際期刊《納米快報》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）報道了中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室研究員趙建華團隊與合作者在晶圓級高質量InAs納米結構維度調控方面的最新研究成果。 InAs是一種重要的III-V
研究實現硅基量子芯片自旋軌道耦合強度高效調控
中國科學技術大學郭光燦院士團隊在硅基半導體量子芯片研究中取得重要進展。該團隊郭國平教授、李海歐教授等人與中科院物理所張建軍研究員、紐約州立大學布法羅分校胡學東教授以及本源量子計算有限公司合作，在硅基鍺空穴量子點中實現了自旋軌道耦合強度的高效調控，為該體系實現自旋軌道開關以及提升自旋量子比特的品質
上海微系統所等在硅納米線陣列寬光譜發光研究獲進展
近期，中國科學院上海微系統與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室SOI材料與器件課題組在硅納米線陣列寬光譜發光方面取得新進展。課題組研究人員將SOI與表面等離子體技術相結合，研究了硅納米線陣列的發光性能，并且與復旦大學合作借助時域有限差分法(FDTD)理論計算了硅納米線發光峰位與納米腔共振模
固體所在構筑異質復雜一維納米結構方法上取得進展
與單一材料的一維納米結構相比，由異質材料組成的復雜形貌一維納米結構，具有更多的功能與更好的性能。這種異質復雜一維納米結構在各種納米器件與多功能復雜系統中具有廣泛的應用前景。此前，人們根據高純鋁在陽極氧化過程中所形成孔的直徑與陽極氧化電壓成正比的關系，采用在陽極氧化過程中降低電壓、
全球最小晶體管拋棄硅材料
北京時間10月7日晚間消息，美國勞倫斯伯克力國家實驗室(以下簡稱“伯克力實驗室”)教授阿里-加維(Ali Javey)領導的一個研究小組日前利用碳納米管和一種稱為二硫化鉬的化合物開發出了全球最小的晶體管。 晶體管由三個終端組成：源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。電流從
低溫探針臺用途
高低溫真空探針臺可以對器件進行非破壞性的測試。可以對材料或器件的電學特性測量、光電特性測量、參數測量、highZ測量、DC測量、RF測量和微波特性測量提供一個測試平臺。優測國芯的高低溫真空探臺該設備已經成為測量納米電子材料（碳納米管、晶體管、單個電子晶體管、分子電子材料、納米線），量子線、點、量子隧